LASER1205

激光切割与开槽

特色

• 更改切割硅片材料 (厚度范围从 10 μm 到 250 μm) 以及 DAF 或 FOW

• 高精度和再现性 (< 1.5 μm)

• 切割宽度窄 = (< 12 µm, 用于 100 µm 硅片上的多光束工艺

• 热影响区小 (厚度为 100 µm 时, < 2 µm) ASMPT 硅片图层 BMK

• 由于系统概念设计专注于激光材料加工, 因此具有较高的 UPH (通常比竞争对手快 50%)

• 超短输送时间

• 双料盒站

• 双图层和和清洁站

• 即时监控