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武汉新芯集成电路股份有限公司(简称:“新芯股份”)日前递交招股书,准备在科创板上市。新芯股份成立于2006年,是国内领先的半导体特色工艺晶圆代工企业,聚焦于特色存储、数模混合和三维集成等业务领域,可提供基于多种技术节点、不同工艺平台的各类半导体产品晶圆代工。
根据新芯股份招股书,截至本招股说明书签署日,长控集团直接持有发行人 68.19%的股份,系发行人的控股股东。长控集团的股权结构较为分散,结合长控集团的历史沿革、公司章程、董事高管提名及任命情况、股东会和董事会对重大事项的表决结果、内部治理结构及日常经营管理决策,长控集团不存在实际控制人,因此发行人不存在实际控制人。
长控集团指长江存储科技控股有限责任公司,以下是其股东构成情况。
武汉新芯董事长为YANG SIMON SHI-NING(杨士宁)先生,1959 年出生,美国国籍,拥有中国居留权,美国伦斯勒理工学院物理学硕士、材料工程学博士。 YANG SIMON SHI-NING 先生 1987年至2010年先后任职于英特尔公司、中芯国际、CiWest 公司、特许(格芯)半导体公司;2010年2月至2011年9月任中芯国际首席营运长官;2013年1月至2016年10 月任新芯有限首席执行官;2016年7月至2022年9月任长江存储首席执行官;2022年12月至今任长控集团副董事长、发行人董事长。
NOR Flash 是一种非易失性存储芯片,具有读取速度快、可靠性强、可芯片内执行(XIP)等特点,在中低容量应用以及需要用低功耗完成内部指令执行、系统数据交换等功能的产品上具备性能和成本上的优势,因此广泛应用于计算机、 消费电子(智能家居、TWS 耳机、穿戴式设备、路由器、机顶盒等)、汽车电子 (驾驶辅助系统、车窗控制、仪表盘)、工业控制(智能电表、机械控制)、 物联网设备等领域。
根据 TechInsights 预测,NOR Flash总体市场规模将在未来5年持续增长, 2024 年全球 NOR Flash 市场规模将达到 26.99 亿美元,同比增长19.74%, 2023-2028 年的年均复合增长率为 9.17%。
NOR Flash 被广泛应用于计算机、消费电子、汽车电子、工业控制、物联网设备等领域。
消费电子领域,近几年来,可穿戴式设备大幅提升了市场对NOR Flash的需求量,特别是在无线蓝牙耳机产品上出现了爆发式增长。未来,各类智能化解决方案也将推动大容量(>1GB)NOR Flash 需求进一步提升。
汽车电子市场,随着汽车领域智能化发展的大趋势,驾驶辅助系统(ADAS)对 NOR Flash的需求量将进一步提升。
工业控制上,“工业 4.0”概念提出的自动化概念将进一步推动 NOR Flash 在工业领域的应用。
新芯股份是中国大陆规模更大的NOR Flash制造厂商,近十余年来持续深耕NOR Flash领域。截至2024 年3月底,公司12英寸NOR Flash 晶圆累计出货量已经超过130万片。
目前,NOR Flash主要包括基于浮栅技术的 ETOX 型和基于电荷俘获技术的 SONOS 型两类主流基础工艺结构。
ETOX型NOR Flash工艺结构方面,新芯股份技术节点涵盖65nm到50nm,其中自主研发的50nm 技术平台具有业内领先的存储密度。公司“代码型闪存芯片成套核心技术研发及其产业化”项目曾获得湖北省科技进步一等奖。报告期内,公司与客户二、客户三等行业头部客户保持稳定合作关系,为客户提供各技术节点下各类ETOX 型 NOR Flash 晶圆代工。
公司自有品牌 NOR Flash产品采用ETOX 型工艺结构,擦写速度与耐受性、数据保持等可靠性与特性指标业内领先。报告期内,公司主要以经销模式销售NOR Flash产品,与行业头部电子元器件分销商形成了稳定合作关系,主要应用于消费电子、计算机、工业控制等领域。
SONOS型NOR Flash工艺结构方面,公司系客户一代码型闪存(产品 A)全球晶圆代工供应商。产品A主要应用于汽车电子、工业控制领域。
公司在特色存储领域亦提供MCU产品的晶圆代工。MCU又称单片微型计算机,系将CPU的频率与规格做适当缩减,并将 Flash、ADC、计数器等模块集成到同一颗芯片,从而为不同的应用场合提供组合控制。
公司拥有业内领先的55nm ESF3 架构1MCU工艺,其中超低功耗MCU平台已稳定量产、高性能 MCU平台已完成研发。报告期内,公司 MCU 领域客户主要包括恒烁股份等,所代工 MCU 产品应用场景由消费电子逐步推进至工业控制及汽车电子领域。
新芯股份主营业务按照工艺平台可划分为特色存储、数模混合、三维集成及其他领域。报告期内,公司特色存储工艺平台实现的收入分别为 217,755.45 万元、244,965.03 万元、257,026.62 万元和 59,148.63 万元,占比分别为 74.32%、73.47%、 67.71%和 64.84%。公司在特色存储领域主要提供 NOR Flash、MCU 等产品的晶圆代工,此外,还经营自有品牌 NOR Flash 产品。
报告期内,公司数模混合工艺平台实现的收入分别为 57,271.20万元、 67,142.22万元、76,898.96万元和26,328.63万元,占比分别为19.55%、20.14%、20.26%和28.86%。数模混合是公司重点发展方向,主要提供 CIS、RF-SOI 等产品晶圆代工。公司结合客户需求逐渐将产品与技术向高端CIS领域延拓,同时RF-SOI的需求量及供应量也逐步增加。
报告期内,公司三维集成工艺平台实现的收入分别为15,828.22 万元、21,116.78万元、17,225.98 万元和 5,749.17 万元,占比分别为 5.40%、6.33%、4.54%和6.30%。三维集成亦是公司未来重点发展的方向。根据Yole统计,预计2023-2028 年,全球三维集成技术制造市场规模年均复合增长率约34.45%,公司将持续深耕该平台技术创新及市场开拓,助力公司营业收入稳步增长。
在特色存储领域,公司在NOR Flash产品代工领域持续深耕超过16年,是中国大陆规模更大的NOR Flash 制造厂商,技术实力位居全球前列。在数模混合领域,公司的RF-SOI工艺拥有自主可控的完整知识产权,已完成55nm技术节点的量产与研发,并涵盖多种类产品。在三维集成领域,公司成功建成了国际领先的晶圆级三维集成技术平台,取得了核心技术和关键产品的突破。
截至 2024年3月31 日,公司共有员工 1,916 人,其中研发人员330人,占比达到17.22%。团队将国际先进半导体制造理念与公司特色相结合,持续推动公司进一步提升技术实力。
新芯股份计划募资48亿元,其中43亿元用于12英寸集成电路制造生产线三期项目,5亿元用于特色技术迭代及研发配套项目。
公司 12 英寸集成电路制造生产线三期项目计划建设一条规划产能5.0万片/ 月的12英寸特色工艺晶圆生产线,其中三维集成业务(双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成、2.5D 以及配套逻辑)相关产能合计 4.0 万片/月,RF-SOI 产能 1.0万片/月,实施主体为发行人。
随着摩尔定律不断进步,集成电路产品最小线宽已接近极限,通过进一步缩小工艺节点以更好满足算力、速度、功耗、面积方面的需求越发困难,晶圆级三维集成技术已成为实现“超越摩尔”的重要途径。
晶圆级三维集成技术系指在垂直方向上将载片或功能晶圆堆叠,或将芯片与晶圆进行堆叠,并在各层之间通过硅通孔、混合键合等工艺技术实现直接的电气互连。通过晶圆级三维集成,可绕开单片晶圆单一制程节点限制,将使用更优制程节点的各功能晶圆进行集成,并有效提高单位面积功能密度。与引线键合(Wire Bonding)、倒装键合(Flip Chip)等封装方式相比,晶圆级三维集成技术提供更 高的芯片间互联密度、更短芯片间互连长度,可以更好降低延时、增加传输带宽,满足低功耗、小尺寸等要求。
公司具有国际领先的晶圆级三维集成技术。报告期内,公司三维集成业务主要系按照工艺架构进行划分,已成功构建双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成和 2.5D(硅转接板 Interposer)四大工艺平台,应用于三维集成领域各类产品的晶圆代工。
双晶圆堆叠平台:该平台将两片晶圆的介质层与金属层通过低温直接键合的方式形成金属互连,在有效减小芯片面积的同时大量增加 I/O 数量,达到增加传输带宽、降低延时及系统功耗的优点,目前支持业界最小的混合键合连接孔距(HB pitch)。
多晶圆堆叠平台:该平台通过无凸点(Bumpless)工艺实现多片晶圆的铜-铜直接、超高密度互连,其互连尺寸远小于微凸块封装等方式,可显著提升传输带宽,且对散热更加友好、有利于降低功耗。
芯片-晶圆异构集成平台:该平台可实现不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圆间直接键合,极大提升系统集成的灵活自由度,公司建成了中国大陆首条完全自主可控的三维异构集成工艺产线,正与产业链上下游企业深度合作进行产品验证。
2.5D(硅转接板 Interposer)平台:该平台提供具有灵活的多光罩超大尺寸拼接、超高密度深沟槽电容、多层金属重布线层等技术优势的硅转接板,可与 2.5D 封装工艺相结合,为集成系统提供亚微米级精度铜互连,显著减小系统延迟、插损及功耗等,目前已经规模量产。
新芯股份表示,三维集成领域是公司未来发展的重点方向,也是公司 12 英寸集成电路制造生产线三期项目的主要组成部分。公司致力于成为三维时代半导体先进制造引领者,预计未来三维集成业务占比将逐步提升。
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